鍵合工藝簡介

晶圓鍵合技術(shù)是指通過化學和物理作用將兩塊已鏡面拋光的同質(zhì)或異質(zhì)的晶片緊密地結(jié)合起來，晶片接合后，界面的原子受到外力的作用而產(chǎn)生反應形成共價鍵結(jié)合成一體，并使接合界面達到特定的鍵合強度。

晶圓鍵合是用于制造微機電系統(tǒng)（MEMS），納米機電系統(tǒng)（NEMS）或光電或微電子物體的設備的過程?！熬A”是一小片半導電材料，例如硅，用于制造電路和其他電子設備。在鍵合過程中，機械或電氣設備會熔合到晶圓本身，從而形成成品芯片。晶圓鍵合與環(huán)境有關(guān)，這意味著它只能在一系列嚴格的嚴格控制條件下進行。

為了使一個完成晶片鍵合過程，需要三件事。首先是襯底表面-晶片本身-必須沒有問題。這意味著它必須平坦，光滑且清潔，以便成功進行鍵合。除此之外，被鍵合的電氣或機械材料還必須沒有缺陷和故障。其次，必須根據(jù)所使用的特定鍵合方法精確設置環(huán)境溫度。第三，在鍵合過程中所用的壓力和作用力必須精確，以使熔合不會破裂或損壞任何重要的電子或機械零件。

鍵合工藝參數(shù)

將鍵合電子的半數(shù)分別歸屬各鍵合原子，再加上各原子的孤電子數(shù),如果兩者之和等于該原子(成游離態(tài)電中性時)的價層電子數(shù)，形式電荷記為零，否則，少了電子，形式電荷記"+"數(shù)，多了電子記為"-"數(shù)。

形式電荷是在寫共價化合物的Lewis結(jié)構(gòu)式時為了判斷各可能物種的穩(wěn)定性時引入的。

鍵合工藝原理

相鄰的兩個或多個原子間的強烈相互作用

原子以“鍵”的方式聯(lián)在一起形成分子.所有的鍵合都與原子中最外層內(nèi)的電子運動有關(guān).

原子可使電子以不同的方式鍵合.有時原子會帶有相同的電荷,每一個原子釋放出一個電子來形成這種“鍵”，這種“鍵”稱為共價鍵。另一種鍵則是由正負離子間的的靜電引力形成的，被稱為離子鍵。在金屬中，電子繞著所有的原子運動，這成為金屬鍵。不同的原子以各種不同的鍵合方式結(jié)合在一起組成無以計數(shù)的物質(zhì)。

鍵合技術(shù)的作用和特點

離子鍵是金屬與非金屬結(jié)合用的鍵結(jié)方式，而離子鍵可以延伸，所以并無分子結(jié)構(gòu)。而共價鍵有鍵角及方向的限制，因此不能隨意延伸，也就是有分子結(jié)構(gòu)。

離子晶體：由離子鍵結(jié)合的產(chǎn)物，主要是鹽類、堿類物質(zhì)、特點是：每個離子其實是和旁邊的其他離子鍵合，但是具有離子之間具有獨立的電荷。

供價晶體：通過共價鍵結(jié)合，但是不產(chǎn)生立體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)晶體。比如二氧化碳、氧氣等，熔點相對低一點。

金屬鍵合工藝

1.封裝工藝流程 一般可以分為兩個部分，用塑料封裝之前的工藝步驟成為前段操作，在成型之后的工藝步驟成為后段操作。

2.芯片封裝技術(shù)的基本工藝流程：硅片減薄 硅片切割 芯片貼裝，芯片互聯(lián) 成型技術(shù) 去飛邊毛刺 切筋成型 上焊錫打碼等工序。

3.硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削，研磨，化學機械拋光，干式拋光，電化學腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強化學腐蝕，常壓等離子腐蝕等。

4.先劃片后減?。涸诒趁婺ハ髦皩⒐杵媲懈畛鲆欢ㄉ疃鹊那锌?，然后再進行背面磨削。

5.減薄劃片：在減薄之前，先用機械或化學的方式切割處切口，然后用磨削方法減薄到一定厚度之后采用ADPE腐蝕技術(shù)去除掉剩余加工量實現(xiàn)裸芯片的自動分離。

6.芯片貼裝的方式四種：共晶粘貼法，焊接粘貼法，導電膠粘貼法，和玻璃膠粘貼法。

共晶粘貼法：利用金-硅合金（一般是69%Au,31%的Si），363度時的共晶熔合反應使IC芯片粘貼固定。

7.為了獲得較佳的共晶貼裝所采取的方法，IC芯片背面通常先鍍上一層金的薄膜或在基板的芯片承載座上先植入預芯片

8.芯片互連常見的方法有，打線鍵合，載在自動鍵合（TAB）和倒裝芯片鍵合。

9.打線鍵合技術(shù)有，超聲波鍵合，熱壓鍵合，熱超聲波鍵合。

10.TAB的關(guān)鍵技術(shù)：1芯片凸點制作技術(shù)2TAB載帶制作技術(shù)3載帶引線與芯片凸點的內(nèi)引線焊接和載帶外引線焊接技術(shù)。

11.凸點芯片的制作工藝，形成凸點的技術(shù):蒸發(fā)/濺射涂點制作法，電鍍凸點制作法置球及模板印刷制作，焊料凸點發(fā)，化學鍍涂點制作法，打球凸點制作法，激光法。

12.塑料封裝的成型技術(shù)，1轉(zhuǎn)移成型技術(shù)，2噴射成型技術(shù)，3預成型技術(shù)但主要的技術(shù)是轉(zhuǎn)移成型技術(shù)，轉(zhuǎn)移技術(shù)使用的材料一般為熱固性聚合物。

13.減薄后的芯片有如下優(yōu)點：1、薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導通電阻將越低，信號延遲時間越短，從而實現(xiàn)更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發(fā)生率。

14. 波峰焊：波峰焊的工藝流程包括上助焊劑、預熱以及將PCB板在一個焊料波峰上通過，依靠表面張力和毛細管現(xiàn)象的共同作用將焊劑帶到PCB板和元器件引腳上，形成焊接點。

波峰焊是將熔融的液態(tài)焊料，借助于泵的作用，在焊料槽液面形成特定形狀的焊料波，裝了元器件的PCB置于傳送鏈上，經(jīng)某一特定的角度以及一定的進入深度穿過焊料波峰而實現(xiàn)焊點的焊接過程。

再流焊：是通過預先在PCB焊接部位施放適量和適當形式的焊料，然后貼放表面組裝元器件，然后通過重新熔化預先分配到印制板焊盤上的焊膏，實現(xiàn)表面組裝元器件焊端或引腳與印制板焊盤之間機械與電氣連接的一種成組或逐點焊接工藝。

15.打線鍵合（WB）：將細金屬線或金屬帶按順序打在芯片與引腳架或封裝基板的焊墊上形成電路互連。打線鍵合技術(shù)有超聲波鍵合、熱壓鍵合、熱超聲波鍵合。

載帶自動鍵合（TAB）：將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/O或基板上的金屬布線焊區(qū)用具有引線圖形金屬箔絲連接的技術(shù)工藝。

倒裝芯片鍵合（FCB）：芯片面朝下，芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連的一種方法。

16. 芯片互連：將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/O或基板上的金屬布線焊區(qū)相連接，只有實現(xiàn)芯片與封裝結(jié)構(gòu)的電路連接才能發(fā)揮已有的功能。

鍵合材料

1TPa=1000Gpa

1Gpa=1000Mpa

1Mpa=1000000pa

彈性模量是工程材料重要的性能參數(shù)，從宏觀角度來說，彈性模量是衡量物體抵抗彈性變形能力大小的尺度，從微觀角度來說，則是原子、離子或分子之間鍵合強度的反映。

凡影響鍵合強度的因素均能影響材料的彈性模量，如鍵合方式、晶體結(jié)構(gòu)、化學成分、微觀組織、溫度等。

因合金成分不同、熱處理狀態(tài)不同、冷塑性變形不同等，金屬材料的楊氏模量值會有5%或者更大的波動。但是總體來說，金屬材料的彈性模量是一個對組織不敏感的力學性能指標，合金化、熱處理（纖維組織）、冷塑性變形等對彈性模量的影響較小，溫度、加載速率等外在因素對其影響也不大，所以一般工程應用中都把彈性模量作為常數(shù)。

鍵合工藝工程師

MEMS 技術(shù)的主要工藝與流程 1、體加工工藝體加工工藝包括去加工(腐蝕)、附著加工(鍍膜)、改質(zhì)加工(摻雜)和結(jié)合加工(鍵合)

鍵合工藝論文

一、畢業(yè)設計題目及要求（2個）

1、基于單片機控制的電動機Y-△啟動的設計要求：

1）控制器為單片機，電動機為三相異步電動機；

2）啟動時間為3秒；

3）由按鍵設置電動機Y-△運行、停止。

2、基于單片機控制的可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的設計要求：

1）控制器為單片機，電壓輸出范圍為0-10V，電壓精度為0.1V；

2）通過數(shù)碼管顯示電壓值；

3）由按鍵設置電壓值。二、畢業(yè)設計用到的主要軟件(及功能)畢業(yè)設計用到的主要軟件(及功能)：Keil51(源程序編譯),Proteus(電路仿真),AutoCAD(繪圖),Visio(繪流程圖),Protel99SE(原理圖電路設計,PCB板制作)三、單片機方面畢業(yè)設計要求1、學會編寫程序（用C語言或匯編語言），用Keil51軟件對源程序進行編譯。2、學會用Proteus電路仿真軟件對所設計的硬件電路進行仿真。3、在寫畢業(yè)論文時，學會用Word、AutoCAD,Visio，Protel99SE等軟件對程序流程圖、電路原理圖等進行繪制。相關(guān)答案↓位朋友，以51單片機為例。51現(xiàn)在很多都是用仿真器來進行在線調(diào)試的，而每個公司的仿真器都會有自帶的編程軟件，當然，跟keil是差不了多少的。步驟大體如下：

1.新建，進行程序的編寫2.連上仿真器或燒寫器，這一步有可能要對仿真器或燒寫器進行設置，具體可看它們的使用說明3.對程序進行編譯，這一步會自動檢測你的程序有沒錯，如果有錯，是不能進入下一步的.如果你用的是仿真器，這一步編譯成功后就可以直接運行進行在線調(diào)試了。4.如果用的是燒寫器，那就進行燒寫各個軟件和調(diào)試方法會有些不同，但大體就是這樣，一些調(diào)試工具的說明書也有很詳細的說明。學參數(shù)測量技術(shù)涉及范圍廣，特別是微電壓、微電流、高電壓以及待測信號強弱相差極大的情況下，既要保證弱信號的測量精度又要兼顧強信號的測量范圍，在技術(shù)上有一定的難度。傳統(tǒng)的低成本儀表在測量電壓、電阻時都采用手動選擇檔位的方法來轉(zhuǎn)換量程。在使用中，當忘記轉(zhuǎn)換檔位時，會造成儀表測量精度下降或損壞?，F(xiàn)代電子測量對系統(tǒng)的精度要求越來越高且智能化程度也越來越高。全量程無檔自動量程轉(zhuǎn)換電壓表和電阻表是在保證測量精度不下降的前提條件下省去手動轉(zhuǎn)換量程的工作，得到了廣泛應用。本文介紹了一種基于AT89S52單片機的智能多用表。該表能在單片機的控制下完成直流電壓、電阻和直流電流的測量。測量電流部分采用了簡單的I/V轉(zhuǎn)換電路完成測試；測量電壓部分結(jié)合模擬開關(guān)CD4051和運算放大器OP07構(gòu)成程控放大器，實現(xiàn)了自動量程轉(zhuǎn)換；測量電阻部分也由模擬開關(guān)CD4051和運算放大器OP07相結(jié)合，在單片機控制下完成了自動量程轉(zhuǎn)換。電流、電壓和電阻的最終測量信號都在單片機的控制下由12位A/D轉(zhuǎn)換器TLC2543進行采集，采集的信號經(jīng)單片機數(shù)據(jù)處理后通過LCD（12864）顯示出來，測量結(jié)果還可以由帶有串行EEPROM的CPU存儲器和監(jiān)控器的X25045進行多個數(shù)據(jù)保存。關(guān)鍵詞：TLC2543自動量程轉(zhuǎn)換程控增益放大器電壓　電阻　電流目錄摘要1Abstract2第一章　緒論51.1　概述51.2　智能儀器/儀表國內(nèi)外發(fā)展概況51.3　課題研究目的及意義6第二章　系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功能介紹82.1　系統(tǒng)功能和性能指標82.1.1　儀表功能82.1.2　性能指標82.1.3　本機特色82.1.4　系統(tǒng)使用說明92.2　系統(tǒng)工作原理概述9第三章　方案設計與論證113.1　量程選擇的設計與論證11

鍵合工藝流程

共晶焊：只是改善了固晶工藝它任然需要引線鍵合；倒裝：在底板上直接安裝芯片的方法之一。連接芯片表面和底板時，并不是像引線鍵合一樣那樣利用引線連接，而是利用陣列狀排列的，名為焊點的突起狀端子進行連接。 說白了，共晶就是改善了我們現(xiàn)在的固晶方式不需要銀膠，倒裝就是不僅僅不需要銀膠還不需要焊線。

鍵合工藝的三要素

固溶體是指溶質(zhì)原子溶入溶劑晶格中而形成的單一、均勻的晶態(tài)固體且仍保持溶劑類型的合金相。固溶體半導體材料是指某些元素半導體或者化合物半導體相互溶解而形成的一種具有半導體性質(zhì)的固態(tài)溶液材料，又稱為混晶半導體或者合金半導體。兩種化合物若離子半徑相近、晶格結(jié)構(gòu)相似則可以通過調(diào)節(jié)比例制備帶隙連續(xù)變化的可見光響應的光催化劑。由于硫化物半導體擁有較窄的帶隙和較高的穩(wěn)定性等優(yōu)點，近年來備受關(guān)注。硫化鋅(ZnS)是一種典型的Ⅱ-Ⅵ型半導體材料，由于其優(yōu)異的氧化能力和低的二次污染，受到了人們的廣泛關(guān)注。然而，ZnS由于其具有寬的直接帶隙(3.6eV)僅在紫外光區(qū)具有活性，且由于較快的光生電子-空穴復合率，其光催化效率還不夠高。與窄帶隙半導體構(gòu)建異質(zhì)結(jié)是拓寬寬帶隙半導體的可見光吸收以及光催化性能的一種有效方法。MoS2作為一種新興的光催化劑具有禁帶窄、邊緣結(jié)構(gòu)復雜、比表面積大、高不飽和性能等特點，合成ZnS-MoS2異質(zhì)結(jié)光催化劑可以抑制光生電子-空穴的復合，從而提高光催化活性。然而，異質(zhì)結(jié)的晶格和能帶結(jié)構(gòu)匹配較差。半導體異質(zhì)結(jié)固溶體可以調(diào)節(jié)固溶體的晶格常數(shù)和能帶結(jié)構(gòu)匹配的能帶結(jié)構(gòu)，是一種避免晶格失配引起的界面應力的有效途徑。因而本課題組合成了一系列的ZnS-MoS2固溶體，其光催化活性遠高于純ZnS和MoS2，但由于ZnS-MoS2固溶體的光催化活性較差，其性能仍不理想。因此，對ZnS-MoS2固溶體光催化劑進行修飾進而提高其光催化效率是非常必要的。

石墨烯是由sp2雜化的苯六元環(huán)組成的二維(2D)周期性蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)，是目前最理想的二維納米材料。在室溫下石墨烯具有在優(yōu)異的電荷載體、優(yōu)良的熱導率、高比表面積和良好的化學穩(wěn)定性等，能促進ZnS-MoS2固溶體光生電子-空穴的分離、轉(zhuǎn)移和遷移，抑制光載流子的復合；此外，石墨烯能吸附大量的污染物，為光催化反應提供更多更理想的反應位點，且能夠抑制ZnS-MoS2納米顆粒團聚，使其均勻的生長在石墨烯薄膜上，因此，結(jié)合固溶體的優(yōu)點和石墨烯優(yōu)異的性能，我們嘗試制備了一種新型的rGO/ZnS-MoS2三元固溶體促進電荷分離以及增強穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

ZnS-MoS2納米顆粒較大且接觸緊密，容易團聚，比表面積較小，提供的反應活性位點較少，容納的污染物分子有限，進而造成光催化效率較低,本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有的不足，提出一步溶劑熱法制備具有可見光催化活性的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑，rGO的引入一方面可作為電子載體促進光生電子-空穴的分離、轉(zhuǎn)移和遷移，從而抑制光載流子的復合率；另一方面石墨烯的加入能抑制ZnS-MoS2納米顆粒聚合，使ZnS-MoS2納米顆粒能夠均勻地生長在石墨烯薄膜上，為光催化反應提供更多更理想的反應位點。此外，這種 rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑的禁帶寬度較窄,且具有較大的比表面積，在可見光下有較強的光吸收和光催化能力，提高了對光的利用效率，并且具有較高的穩(wěn)定性和再生能力。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的。一種具有可見光催化活性的石墨烯/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑的方法,其步驟如下：

一種具有可見光催化活性的石墨烯/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑的方法，其特征步驟如下：

1)首先用改良Hummers法制備出氧化石墨烯，然后將氧化石墨烯分散到有機溶劑中超聲至均勻溶液，超聲時間30-60min；

2)以無機鋅鹽、無機鉬鹽和硫源作為原料，將它們?nèi)芙獾接袡C溶液中，并加入提前制備好的石墨烯溶液；

3)將混合溶液轉(zhuǎn)移到反應釜中，在180-220℃條件下反應24小時；

4)反應結(jié)束后，將反應物用去離子水和無水乙醇分別洗滌、離心數(shù)次，所得產(chǎn)物在60-100 ℃下真空干燥6-24小時，即得具有可見光催化活性的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

所述無機鋅鹽為醋酸鋅、氯化鋅、硝酸鋅和硫酸鋅中的一種或幾種。

所述無機鉬鹽為鉬酸鈉、鉬酸銨和磷鉬酸中的一種或幾種。

所述硫源為硫代乙酰胺、硫脲和Na2S中的一種或幾種。

所述有機溶劑為乙醇、丙醇、丁醇、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、乙二醇、丙二醇或丁二醇中的一種或幾種。

所述無機鋅鹽與無機鉬鹽的摩爾比為20:1～40:1。

所述無機鋅鹽與硫源的摩爾比為1:2～1:8。

所述石墨烯與ZnS-MoS2的質(zhì)量百分比為5％～14％。

本發(fā)明制備的石墨烯/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑，處理廢水在可見光照射下進行。

本發(fā)明制備rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑的優(yōu)點：

(1)本發(fā)明制備方法制得的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑具有獨特的表面結(jié)構(gòu)和形貌。

(2)本發(fā)明的一步溶劑熱法制備一種具有可見光催化活性的石墨烯/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑較為蓬松具有更大的比表面積，較窄且可連續(xù)調(diào)節(jié)的禁帶寬度，能有效地使光生電子-空穴分離、遷移，在可見光下有較強的光吸收和光催化能力，并具有著較高的穩(wěn)定性和再生性能，可見光照射下可以高效處理實際廢水，去除率可達到74.05％。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實施例1所制備的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑(a)和單純的 ZnS-MoS2對比樣品(b)的XRD圖譜，由圖可知，rGO/ZnS-MoS2和ZnS-MoS2的X射線衍射數(shù)據(jù)相符合，表明石墨烯的負載不影響ZnS-MoS2的晶相，沒有出現(xiàn)石墨烯的衍射峰表明由于硫化鋅/硫化鉬對石墨烯片層的修飾，打亂了石墨烯的有序排列結(jié)構(gòu)。

圖2為本發(fā)明的實施例1所制備的rGO/ZnS-MoS2SEM圖，由圖可知ZnS-MoS2納米粒子能均勻地生長在石墨烯薄膜上并形成了的形貌，實現(xiàn)石墨烯與ZnS-MoS2納米粒子之間的有效鍵合。

圖3為本發(fā)明的實施例1所制備的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑(a)和純ZnS-MoS2樣品(b)的氮氣吸附-脫附等溫線，由圖可知，rGO/ZnS-MoS2和純ZnS-MoS2的氮氣吸附-脫附等溫線都屬IUPAC分類中的IV型，H3滯后環(huán)，但rGO/ZnS-MoS2固溶體光催化劑的比表面積接近31.6m2/g，純ZnS-MoS2的比表面積為18.7m2/g，rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑的比表面積遠大于純ZnS-MoS2的比表面積。

圖4為本發(fā)明的實施例1所制備的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑(a)和純ZnS-MoS2 (b)光降解鄰硝基苯酚曲線，由圖可知，rGO/ZnS-MoS2固溶體光催化劑的催化活性高于純 ZnS-MoS2。

圖5為本發(fā)明的實施例1所制備的rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑在可見光照射下處理實際藥物廢水的曲線，由圖可知，rGO/ZnS-MoS2固溶體光催化劑可以高效處理實際藥物廢水，在可見光下實際藥物廢水的COD去除率高達74.05％。

具體實施方式

以下實施旨在說明本發(fā)明而不是對本發(fā)明的進一步限定。

實施例1

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后取0.06787g氧化石墨烯到10mL N,N-二甲基甲酰胺溶液中，超聲30min備用。

(2)將6.0mmol醋酸鋅，0.2mmol鉬酸鈉，13.3mmol硫代乙酰胺，加入到40mL N,N- 二甲基甲酰胺溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，210℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在60℃下真空干燥 12小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例2

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后稱取0.04936g氧化石墨到10mL乙二醇溶液中，超聲40min備用。

(2)將6.0mmol氯化鋅，0.2mmol鉬酸鈉，13.3mmol硫代乙酰胺，加入到40mL乙二醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，200℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在60℃下真空干燥 12小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例3

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后稱0.06787g氧化石墨烯分散到10mL乙醇溶液中，超聲60min備用。

(2)將5.0mmol硝酸鋅，0.25mmol鉬酸鈉，11.5mmol硫化鈉，加入到40mL乙醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，220℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在60℃下真空干燥 12小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例4

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后取0.04936g氧化石墨烯分散到10mL丁醇溶液中，超聲30min備用。

(2)將5.0mmol硝酸鋅，0.25mmol磷酸鈉，11.5mmol硫化鈉，加入到40mL丁醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，200℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在60℃下真空干燥 12小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例5

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后稱取0.04936g氧化石墨烯分散到10mL丁醇溶液中，超聲40min備用。

(2)將6.0mmol硝酸鋅，0.2mmol鉬酸鈉，13.3mmol硫脲，加入到40mL丁醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，220℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在100℃下真空干燥 8小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例6

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后取0.05553g氧化石墨烯分散到10mL丁醇溶液中，超聲50min備用。

(2)將5.0mmol醋酸鋅，0.14mmol鉬酸鈉，11mmol硫化鈉，加入到40mL丁醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，210℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在100℃下真空干燥 8小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例7

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后稱取0.05553g氧化石墨烯分散到10mLN，N-二甲基甲酰胺溶液中，超聲30min備用。

(2)將6.0mmol醋酸鋅，0.2mmol磷酸鉬，13.3mmol硫化鈉，加入到40mL N，N-二甲基甲酰胺溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，200℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在100℃下真空干燥 8小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例8

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后取0.04936g氧化石墨烯分散到10mLN，N-二甲基乙酰胺溶液中，超聲40min備用。

(2)將5.0mmol硫酸鋅，0.25mmol磷酸鉬，11.5mmol硫脲，加入到40mL N，N-二甲基乙酰胺溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，210℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在100℃下真空干燥 8小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

實施例9

(1)以石墨粉為原料，采用Hummers方法合成氧化石墨烯，然后取0.05553g氧化石墨烯分散到10mL丙二醇溶液中，超聲30min備用。

(2)將6.0mmol氯化鋅，0.2mmol鉬酸銨，13.3mmol硫脲，加入到40mL丙二醇溶液中并攪拌至溶液透明后加入上述石墨烯溶液。

(3)將溶液轉(zhuǎn)移到100mL反應釜中，200℃，反應時間為24小時。

(4)將反應后的樣品離心并用去離子水和乙醇洗滌數(shù)次，所得樣品在100℃下真空干燥 8小時后研磨。所得產(chǎn)物為rGO/ZnS-MoS2納米固溶體光催化劑。

不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權(quán)利要求書所限定的保護范圍為準。

再多了解一些