電容工藝角偏移

一：擦拭法：找一塊柔軟的棉布料弄濕再擰干，然后擦拭屏幕

二：撕膜法：撕掉手機(jī)屏幕的貼膜(此方法主要是由于貼膜用的時(shí)間過久，劣質(zhì)貼膜引起的屏幕漂移)

三：換充電器法：換一個(gè)新的不同品牌充電器(此方法主要對(duì)付充電時(shí)屏幕漂移)

四：電吹風(fēng)法：

1：關(guān)機(jī)，取出電池蓋/電池/sim卡/sd卡。

2：用電吹風(fēng)調(diào)到熱風(fēng)低檔位，距離手機(jī)30厘米左右，向著手機(jī)的間隙屏幕插卡口等部位輪換著吹，注意控制手機(jī)的溫度，最好不要超過40攝尺度，大約吹15分鐘左右。

3：放在干燥通風(fēng)的地方一天晾干。(最好放入空調(diào)房晾干，因?yàn)榭照{(diào)可以吸潮!)(手機(jī)經(jīng)常放在潮濕的環(huán)境下可以試一試)

五：放靜電法：首先關(guān)閉手機(jī)，取出電池，手機(jī)靜置五分鐘左右，然后:找一根USB數(shù)據(jù)線連接手機(jī);再把手洗干凈保持手濕潤(rùn)(關(guān)鍵步驟，為了更好的把靜電導(dǎo)出去)濕手狀態(tài)下同一只手的拇指接觸USB線另一端的金屬部分，食指按到地上兩秒左右(初步去電)拆開后蓋我們可以看到一個(gè)小小的金屬塊在電池倉(cāng)隔壁，這就是手機(jī)震動(dòng)的震動(dòng)器，俗稱震子。濕手狀態(tài)下同一只手的拇指接觸震子，食指按到地上兩秒左右即可(懷疑手機(jī)內(nèi)靜電過多的可以一試)

電容偏移標(biāo)準(zhǔn)

1. 影響串聯(lián)均壓靜態(tài)因素

1.1、IGBT輸出伏安特性的差異

IGBT在開啟時(shí)，IGBT兩端電壓大小為自身的導(dǎo)通壓降，IGBT伏安特性的不同導(dǎo)開啟階段時(shí)的導(dǎo)通壓降存在著很大區(qū)別。只要流過IGBT的電流大小在額定范圍內(nèi)，IGBT就能夠處于安全工作狀態(tài)。當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，其自身相當(dāng)于一個(gè)大電阻，串聯(lián)時(shí)兩端的分壓主要由IGBT本身的阻斷電阻大小決定，即與IGBT漏電流有關(guān)。由于制造工藝技術(shù)的局限性，流過IGBT的漏電流會(huì)有一定差異。漏電流越大，阻斷電阻越小，串聯(lián)分得的電壓越小。

1.2、溫度的差異

IGBT正常工作時(shí)，溫度也是影響其特性的一個(gè)主要因素。在IGBT關(guān)斷時(shí)，IGBT的漏電流會(huì)隨著溫度的升高而變大，從而導(dǎo)致IGBT關(guān)斷電阻減小。在IGBT串聯(lián)工作時(shí)，每個(gè)IGBT的溫度都會(huì)有所不同，這樣就會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)分壓嚴(yán)重不均衡。結(jié)溫較低的IGBT靜態(tài)分壓會(huì)增大，如果溫度差異過大可能會(huì)損壞IGBT。

2. 影響串聯(lián)均壓動(dòng)態(tài)因素

引起IGBT串聯(lián)不均壓的原因主要有兩個(gè)方面：一是IGBT自身參數(shù)不一致，IGBT極間電容大小的不同導(dǎo)致開關(guān)不同步，先導(dǎo)通的IGBT承受較大電壓，容易燒毀；二是外圍電路設(shè)計(jì)不一致，柵極驅(qū)動(dòng)電路的電阻大小及驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)間不同步會(huì)影響開關(guān)速度和開關(guān)順序，導(dǎo)致分壓不均。并聯(lián)在IGBT兩端吸收電容參數(shù)的不一致也會(huì)引起分壓不均。

電容器指針偏角

一個(gè)電容很小的電容器，當(dāng)將靜電計(jì)的金屬球金屬外殼分別與被測(cè)電容的兩級(jí)相連時(shí),靜電計(jì)就從被測(cè)電容上獲得電荷達(dá)到與被測(cè)電容的電壓相同,因靜電計(jì)的電容很小,此過程中引起被測(cè)電容上的電荷量的變化可忽略,被測(cè)電容兩級(jí)間的變化也可忽略,即靜電計(jì)上的電總是等于被測(cè)電容上的電壓.則靜電計(jì)所帶的電荷量q=cu正比于被測(cè)電壓，被測(cè)電壓越高，靜電計(jì)所帶電荷量越多，靜電計(jì)指針與金屬桿間的靜電斥力就越大，指針偏角就越大。

利用指針偏角與被測(cè)電壓間的關(guān)系即可測(cè)靜電電壓。

電容 電位移

位移傳感器又稱為線性傳感器，是一種屬于金屬感應(yīng)的線性器件，傳感器的作用是把各種被測(cè)物理量轉(zhuǎn)換為電量。在生產(chǎn)過程中，位移的測(cè)量一般分為測(cè)量實(shí)物尺寸和機(jī)械位移兩種。按被測(cè)變量變換的形式不同，位移傳感器可分為模擬式和數(shù)字式兩種。模擬式又可分為物性型和結(jié)構(gòu)型兩種。

常用位移傳感器以模擬式結(jié)構(gòu)型居多，包括電位器式位移傳感器、電感式位移傳感器、自整角機(jī)、電容式位移傳感器、電渦流式位移傳感器、霍爾式位移傳感器等。

數(shù)字式位移傳感器的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是便于將信號(hào)直接送入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。這種傳感器發(fā)展迅速，應(yīng)用日益廣泛。

電容板的位移電流

電容器接入電路中相當(dāng)于斷路，還會(huì)有電流是因?yàn)殡娙萜髟陔娐返膽?yīng)用上起到通交流隔直流的作用，直流電路中電容充電期間也是導(dǎo)通的，充滿電后相對(duì)來(lái)說是沒有電流流過了。電容是耦合元件，當(dāng)然有電流，也有電壓。

電容器就是兩片不相連的金屬板.電容器在電子線路中的作用一般概括為：通交流、阻直流。

電容器通常起濾波、旁路、耦合、去耦、轉(zhuǎn)相等電氣作用，是電子線路必不可少的組成部分。

電容器偏轉(zhuǎn)角

庫(kù)侖定律：F=kQq/r2

電場(chǎng)強(qiáng)度：E=F/q

點(diǎn)電荷電場(chǎng)強(qiáng)度：E=kQ/r2

勻強(qiáng)電場(chǎng)：E=U/d

電勢(shì)能：E? =qφ

電勢(shì)差:U? ?=φ?-φ?

靜電力做功:W??=qU??

電容定義式:C=Q/U

電容:C=εS/4πkd

帶電粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)

加速勻強(qiáng)電場(chǎng):1/2*mv2 =qU

v2 =2qU/m

偏轉(zhuǎn)勻強(qiáng)電場(chǎng):

運(yùn)動(dòng)時(shí)間:t=x/v?

垂直加速度:a=qU/md

垂直位移:y=1/2*at? =1/2*(qU/md)*(x/v?)2

偏轉(zhuǎn)角:θ=v⊥/v?=qUx/md(v?)2

微觀電流：I=nesv

電源非靜電力做功：W=εq

歐姆定律：I=U/R

串聯(lián)電路

電流：I? =I? =I? = ……

電壓：U =U? +U? +U? + ……

并聯(lián)電路

電壓：U?=U?=U?= ……

電流：I =I?+I?+I?+ ……

電阻串聯(lián)：R =R?+R?+R?+ ……

電阻并聯(lián)：1/R =1/R?+1/R?+1/R?+ ……

焦耳定律：Q=I2 Rt

P=I2 R

P=U2 /R

電功率：W=UIt

電功:P=UI

電阻定律：R=ρl/S

全電路歐姆定律：ε=I(R+r)

ε=U外+U內(nèi)

安培力：F=ILBsinθ

磁通量：Φ=BS

電磁感應(yīng)

感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)：E=nΔΦ/Δt

導(dǎo)線切割磁感線：ΔS=lvΔt

E=Blv*sinθ

感生電動(dòng)勢(shì)：E=LΔI/Δt

高中物理電磁學(xué)公式總整理

電子電量為 庫(kù)侖(Coul)，1Coul= 電子電量。

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電容的角度

可變電容器的偏轉(zhuǎn)角度與電容量的大小相關(guān)。一般電容器旋出時(shí)電容量減小，反之亦然。

電容導(dǎo)致相位偏移

電容器中的電流和電容器兩端電壓的變化率成正比，即ic=CΔuc/Δt。實(shí)驗(yàn)證明，一個(gè)正弦電壓，當(dāng)電壓等于零時(shí)變化率最大，當(dāng)電壓等于最大值時(shí)變化率為零。所以，電容電路中的電流，在u=0時(shí)達(dá)到最大值，在u=Um時(shí)達(dá)到零。

應(yīng)用數(shù)學(xué)方法也可以證明，電容電路中的電流按正弦規(guī)律變化，它比電容元件兩端的電壓超前90?。

電容偏移原因分析

根據(jù)IPC610E重量大于15g的產(chǎn)品，浮高不可超過0.2mm，小于15g的產(chǎn)品，浮高不可超過0.5mm。

1.確認(rèn)電解電容單PCS質(zhì)量是多少；

2.確認(rèn)電解電容的腳距和PCB板該電容所處位置的孔距是否一致，一般孔距較腳距大1~2mm；

3.確認(rèn)電解電容在過爐過程中有無(wú)晃動(dòng)，這樣會(huì)使上錫的時(shí)候，電容偏移導(dǎo)致浮高。

解決的方法很簡(jiǎn)單，加載具或者沙袋，針對(duì)較容易浮高的那幾處，合理設(shè)計(jì)載具，就解決了

電解電容浮高的問題。

電容器與偏轉(zhuǎn)角度關(guān)系

靜電計(jì)，也稱為電勢(shì)差計(jì)。

靜電計(jì)的指針偏轉(zhuǎn)角度與金屬桿和金屬外殼間的電勢(shì)差有關(guān)。電勢(shì)差越大，偏轉(zhuǎn)的角度就越大。

1、在外殼接地或負(fù)極板之前，系統(tǒng)達(dá)到靜電平衡狀態(tài)，金屬球內(nèi)部電勢(shì)相等，場(chǎng)強(qiáng)為0。當(dāng)外殼接地或負(fù)極板時(shí)，電勢(shì)內(nèi)外不等，所以指針要偏轉(zhuǎn)。

2、指針的偏轉(zhuǎn)不是一定要吸引的，還有一個(gè)重要的物理學(xué)電學(xué)概念你沒有考慮到：洛侖茲力！

電容屏偏移

假設(shè)系統(tǒng)電壓不變，系統(tǒng)容量很大，電容器并聯(lián)在電網(wǎng)中，電容器星接，中性點(diǎn)不接地，當(dāng)三相電容值不平衡時(shí)，三相阻抗不等，造成中性點(diǎn)電壓不在是零而產(chǎn)生了偏移，電容器組三相的電壓(等于系統(tǒng)電壓減去中性點(diǎn)電壓)將不平衡，推導(dǎo)公式，在這兒還是算了吧你自己去看電容器裝置的標(biāo)準(zhǔn)吧，附錄里有不平衡公式。