mbr工藝流程(mbr工藝流程PPT)
mbr工藝流程
在AO-MBR系統(tǒng)中,被隔除了懸浮物和雜物的廢水流入調(diào)節(jié)池,均衡水質(zhì)水量,然后進(jìn)入沉淀池進(jìn)行固液分離。shang流清夜流入MBR處理池,MBR處理池設(shè)計(jì)為AO系統(tǒng):在前段,進(jìn)段的會(huì)流水充分混合進(jìn)行生物反硝化脫氮,在后段進(jìn)行生物降解和硝化,同時(shí)加堿,處理后的廢水直接排放。
mbr工藝流程PPT
1、安裝前記得備份數(shù)據(jù),然后準(zhǔn)備一個(gè)8G以上的U盤(pán);
2、開(kāi)機(jī)一直按【F2】進(jìn)入BIOS,然后選擇secure BOOt頁(yè)面,選擇Enable改成Disable;
3、切換到security,把PPt On前面的勾去掉;
4、切換到Advanced Boot Option,把右邊的Enable打上勾;
5、把Boot Secquence郵編選項(xiàng)勾選為L(zhǎng)egacy,點(diǎn)擊保存;
6、切換硬盤(pán)為AHCI模式;
7、插入U(xiǎn)盤(pán),按【F12】;
8、改硬盤(pán)設(shè)置分區(qū)為MBR分區(qū);
9、重啟電腦安裝win7就可以了;
mbr工藝操作規(guī)程
步驟1.右鍵單擊屏幕左下角的“開(kāi)始”按鈕,然后選擇“磁盤(pán)管理”。
步驟2.在磁盤(pán)管理窗口中,右鍵單擊M2固態(tài)硬盤(pán),然后選擇“初始化磁盤(pán)”。
步驟3.在初始化磁盤(pán)窗口中,根據(jù)M2固態(tài)硬盤(pán)容量大小選擇MBR或GPT,然后點(diǎn)擊“確定”按鈕。
注意:MBR是一種舊規(guī)范,只能支持4個(gè)主分區(qū),并且只能識(shí)別不大于2TB的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。GPT是規(guī)范的新版本,上限可以支持18EB(1EB=1024TB=1048576GB)的硬盤(pán),分區(qū)數(shù)支持128個(gè),但主板需要支持UEFI引導(dǎo)模式。
步驟4.初始化完成后,右鍵單擊M2固態(tài)硬盤(pán)上的未分配空間,然后選擇“新建簡(jiǎn)單卷”并按提示流程進(jìn)行操作即可。
mbr工藝流程圖
Centos桌面啟動(dòng)流程。
1. CentOS5
POST開(kāi)機(jī)自檢
運(yùn)行CMOS中的BIOS程序,加載第一個(gè)啟動(dòng)磁盤(pán)的Bootloader
由Bootloader讀取kernel
通過(guò)掛載臨時(shí)根目錄initramfs加載核心模塊(驅(qū)動(dòng)程序...),然后卸載臨時(shí)根目錄,掛載真正的根目錄。
啟動(dòng)init程序;
讀取/etc/inittable查看默認(rèn)運(yùn)行級(jí)別;
執(zhí)行初始化腳本/etc/rc.d/rc.sysinit
運(yùn)行運(yùn)行級(jí)別的腳本/etc/rc.d/rcN.d/*
運(yùn)行/etc/rc.local
啟動(dòng)mingetty,進(jìn)入系統(tǒng)登陸界面;
如果運(yùn)行級(jí)別為5則啟動(dòng)圖形桌面;
2. CentOS6
POST開(kāi)機(jī)自檢
運(yùn)行CMOS中的BIOS程序,加載第一個(gè)啟動(dòng)磁盤(pán)的MBR中的Bootloader
由Bootloader讀取kernel
通過(guò)掛載臨時(shí)根目錄initramfs加載核心模塊(驅(qū)動(dòng)程序...),然后卸載臨時(shí)根目錄,掛載真正的根目錄。
啟動(dòng)init程序;
指定/etc/inittab設(shè)置默認(rèn)運(yùn)行級(jí)別;
執(zhí)行/etc/init/rcS.conf啟動(dòng)系統(tǒng)初始化腳本;
執(zhí)行/etc/init/rc.conf啟動(dòng)運(yùn)行級(jí)別腳本(它會(huì)讀取/etc/rc.d/rc,有/etc/rc.d/rc讀取/etc/rc.d/rcN.d/*下的服務(wù)腳本);
執(zhí)行/etc/rc.d/rc.local
執(zhí)行/etc/init/start-ttys.conf啟動(dòng)終端腳本;
如果運(yùn)行級(jí)別為5則啟動(dòng)圖形桌面;
3. CentOS7
POST開(kāi)機(jī)自檢
BIOS 開(kāi)機(jī)啟動(dòng)設(shè)備,讀取MBR中的Bootloader
通過(guò)Bootloader讀取kernel
通過(guò)掛載臨時(shí)根目錄initramfs加載核心模塊(驅(qū)動(dòng)程序...),然后卸載臨時(shí)根目錄,掛載真正的根目錄。
啟動(dòng)systemd程序。
使用default.target進(jìn)入開(kāi)啟流程(假設(shè)是multi-user.target)
執(zhí)行sysinit.target初始化系統(tǒng)(檢測(cè)硬件,載入所需的核心模組)、basic.target準(zhǔn)備系統(tǒng)(載入硬件驅(qū)動(dòng)和防火墻相關(guān)任務(wù))
執(zhí)行multi-user.target下面的服務(wù)(如果啟動(dòng)了/etc/rc.d/rc.local,則需要啟動(dòng)里面的命令)
執(zhí)行multi-user.target下的/etc/rc.d/rc.local
啟動(dòng)tty
如果運(yùn)行級(jí)別是graphical.target則會(huì)啟動(dòng)圖形桌面;
mbr工藝流程圖及原理
一般的城市生活污水處理采用AAO SBR MBR等一般的工藝流程:粗格柵——細(xì)格柵——初次沉淀池——生化池——二次沉淀池——陶粒濾料——快濾池——消毒池——回用從粗格柵——初次沉淀池被稱(chēng)為一級(jí)處理 (一級(jí)處理污染物去除能達(dá)到30-60%)生化池——二沉池被稱(chēng)為二級(jí)處理(二級(jí)處理污染物去除率達(dá)到80-90%,達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn),污水不回用的話就直接排放了,)后面的為三級(jí)處理 三級(jí)處理后污水達(dá)到回用標(biāo)準(zhǔn)再說(shuō)一下不同的工藝 ,主要的核心處理構(gòu)筑物不同即生化池不同
mbr工藝流程圖,各單元用到的水工藝設(shè)備
MBR工藝原理:MBR是一種將高效膜分離技術(shù)與傳統(tǒng)活性污泥法相結(jié)合的一種新型高效污水處理工藝,獨(dú)特的MBR平片膜組件被放置于曝氣池中,通過(guò)好氧曝氣和生物處理后的水,再由泵通過(guò)濾膜過(guò)濾之后抽出,利用膜分離設(shè)備把生化反應(yīng)池中的活性污泥和大分子有機(jī)物截留,省去了二沉池,活性污泥濃度大大提高。
MBBR工藝流程
FBC工藝是傳統(tǒng)MBBR工藝與活性污泥工藝在厭氧、缺氧、好氧段的有機(jī)結(jié)合。即借助了移動(dòng)床生物膜工藝的特點(diǎn),在生物反應(yīng)池中投加可掛膜的懸浮填料,填料具有較高的比表面積,生物膜在填料內(nèi)外表面都能大量生長(zhǎng)。
在缺氧或厭氧反應(yīng)池中,通過(guò)機(jī)械攪拌及推流實(shí)現(xiàn)FBC工藝;在好氧區(qū)通過(guò)空氣攪拌實(shí)現(xiàn)FBC工藝。
MBR工藝介紹
MBR工藝(Membrane Bio reactor, 簡(jiǎn)稱(chēng)MBR )又稱(chēng)膜生物反應(yīng)器,是膜技術(shù)與污水生物處理技術(shù)有機(jī)結(jié)合的一種新型、高效的廢水處理工藝。發(fā)源于20世紀(jì)70年代的美國(guó)。
在污水處理,水資源再利用領(lǐng)域,MBR又稱(chēng)膜生物反應(yīng)器(Membrane Bio-Reactor),是一種由活性污泥法與膜分離技術(shù)相結(jié)合的新型水處理技術(shù)。膜的種類(lèi)繁多,按分離機(jī)理進(jìn)行分類(lèi),有反應(yīng)膜、離子交換膜、滲透膜等;按膜的性質(zhì)分類(lèi),有天然膜(生物膜)和合成膜(有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜);按膜的結(jié)構(gòu)型式分類(lèi),有平板型、管型、螺旋型及中空纖維型等。
aao+mbr工藝流程
活性污泥法是經(jīng)典的污水處理工藝,也是當(dāng)前污水處理的主流工藝,在實(shí)際生產(chǎn)中,有不同的應(yīng)用形式,比如:AO脫氮工藝,AO除磷工藝,AAO工藝,AB法,SBR法,氧化溝工藝,UCT工藝,MBR法,以及各種工藝的變形工藝等。
工藝類(lèi)型不同,或者處理污水的來(lái)源不同,季節(jié)不同等,對(duì)活性污泥的要求都不一樣。一般來(lái)說(shuō),活性污泥主要看以下幾個(gè)指標(biāo):MLSS,SRT,SV,SVI,MLVSS等。一般的生活污水處理廠,污泥齡在10到18 天左右,夏季略短冬季略長(zhǎng)。污泥濃度一般在3000到4000左右,夏季略少,冬季略高。MBR法參數(shù)會(huì)更高些,具體情況要看具體工藝情況定。