pvd工藝特點

這是目前國際上先進的表面處理技術(shù)的廣泛應用的PVD物理氣相沉積。其工作原理是在真空下，或由氣體從該材料的蒸發(fā)段，或者所述氣體離子的離子轟擊的氣體放電而蒸發(fā)物或反應物汽化的材料被沉積在基板上。它具有快速的沉積和表面清洗特性，特別是與薄膜粘附性，周圍良好，廣泛使用的涂層材料等。一個全球先進的磁控濺射離子鍍，多弧離子鍍工藝設(shè)備，并在此基礎(chǔ)上的創(chuàng)新和國際專家的過程。隨著裝飾涂料行業(yè)十多年的寶貴經(jīng)驗，為客戶提供最合適的解決方案涂層工藝。

PVD涂層性能

？色澤均勻的耐用的金屬外表面，在各種空氣和陽光直射的基本環(huán)境條件永遠保持良好的外觀。色深韻，明亮。

？經(jīng)濟性，降低了清潔劑和拋光黃銅或鍍金必要的時間和成本。請用軟布和玻璃清潔劑清潔PVD涂層。

？對環(huán)境無害，避免傳播化學中毒和VOC的。

？生物相容的。

PVD涂層的特性

？優(yōu)良的粘附性，可彎曲超過90度不開裂或發(fā)生剝離（PVD涂層粘合力和耐久性，以保持高）。其它技術(shù)，包括電鍍，噴涂不能相比。

？可以蝕刻任何設(shè)計模式就可想而知了。

？您可以使用內(nèi)部裝飾還是室外。

？真空鍍膜，抗氧化，抗腐蝕性能。耐蝕性，化學穩(wěn)定性，酸。手機外殼PVD涂層電阻。

？容易清除油漆和涂料外殼的指紋。

？在強烈的陽光下，咸濕地和城市環(huán)境，不要失去光澤，不氧化，不褪色，不脫落和爆裂。高度耐磨，防刮，不易劃傷。電鍍材料被廣泛使用，并且基板的結(jié)合力。

PVD裝飾涂料的顏色范圍可以

PVD不銹鋼，銅，鈦，鋅鋁等金屬鍍氮化鉻。TiN等。TiAlCN。氮碳化鈦。TiAlN涂層。黃金，黃銅，玫瑰金，銀色，白色，黑色，煙灰色，銅，棕，紫，藍，酒紅，古銅等顏色，并且可以根據(jù)您的要求提供所需的顏色和質(zhì)量。塑料制品也EMI膜半透膜鍍膜不是透明導電膜。

PVD應用

PVD技術(shù)被廣泛應用于電子產(chǎn)品制造門窗五金，廚房五金，燈飾，船舶用品，飾品，工藝品等裝飾產(chǎn)品。

如今PVD在日用五金領(lǐng)域已成為相當普遍，許多世界領(lǐng)先的硬件廠商也開始PVD產(chǎn)品的開發(fā)和量產(chǎn)。PVD豐富的色彩使其非常容易搭配，惡劣環(huán)境，以及易清潔性優(yōu)異，不褪色的性能深受消費者的喜愛。系列的涂料，特別是銅，被廣泛用于世界各地，并且用于代替銅和銅產(chǎn)物。

pvd工藝的溫度

PVD是以偏二氯乙烯為主要成分的共聚物。且PVD是一種阻隔性高、韌性強以及低溫熱封、熱收縮性和化學穩(wěn)定性良好的理想包裝材料，在包裝行業(yè)獨樹一幟，特別是其具有阻濕、阻氧、防潮、耐酸堿、耐油浸和耐多種化學溶劑等性能，50年來廣泛用于食品、藥品、軍品的包裝。

1.詳細介紹：PVD，學名“聚偏二氯乙烯”，是一種軟化溫度在160-200℃的熱塑性聚合物，具有頭尾相連的線性聚合鏈結(jié)構(gòu)。分子結(jié)構(gòu)對稱，結(jié)晶度高。

對于PVD，由于其分子間凝集力強，結(jié)晶度高，PVD分子中的氯原子有疏水性，不會形成氫鍵，氧分子和水分子很難在PVD分子中移動，從而使其具有優(yōu)良的阻氧性和阻濕性，且其阻氧性不受周圍環(huán)境濕度的影響。也就是說，在任何溫度或濕度條件下，兼具卓越的阻隔水汽、氧氣、氣味和香味的能力，是目前公認的在阻隔性方面綜合性能最好的塑料包裝材料。

利用PVD的阻氣性，能夠延緩食品氧化變質(zhì)現(xiàn)象的發(fā)生，大大延長產(chǎn)品貨架期，同時能夠避免內(nèi)裝物的香味散失和防止外部不良氣味的侵入；利用其阻濕性，能夠防止產(chǎn)品發(fā)生失水變干、口感變差的現(xiàn)象，不會因產(chǎn)品吸水而損傷包裝原型，防止定量制品發(fā)生自然損耗(失重)。阻氣性能不隨濕度的變化而變化，即使高濕環(huán)境也不會引起產(chǎn)品變質(zhì)；利用其低滲透性，可防止香味損失，而且不吸收殘余氣味和不正常味道，可以保證氣味的完整性(在包裝低脂肪或高蛋白食品時這一點尤為重要)。耐候性優(yōu)異，即使長期暴露在室外，直接受陽光照射，也不會發(fā)生包裝物褪色及老化現(xiàn)象。

安全環(huán)保，符合食品衛(wèi)生要求，通過FDA(美國食品藥品管理局)認證，為食品包裝安全保駕護航

pvd的工藝基本原理

使用直流電源，電子方向始終統(tǒng)一，會導致單一種類電荷堆積過高與控制源中和。也就是說用來提供動力的正負極被中和了。然后磁控濺射將不再繼續(xù)。所以采用脈沖電源。

pvd制程工藝及設(shè)備

在半導體制作工藝中，電化學電鍍(Electro Chemical Plating，簡稱ECP)制作工藝屬于金屬化制作工藝的其中一階段，主要是使用電流以提供電子將金屬離子轉(zhuǎn)換成金屬原子，并于某一界面的金屬薄膜沉積的制作工藝，通常是以物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)將銅種層增長為銅金屬層。

電化學電鍍制作工藝主要包括電鍍(Plating Cell)、晶片斜邊清洗(Edge Bevel Remove，EBR)及回火(Anneal)等制作工藝所組成；其中，晶片斜邊清除(EBR)主要是將晶片邊緣殘余的銅通過例如是過氧化氫(H2O2)與硫酸(H2SO4)的化學調(diào)劑進行清洗，以避免晶片邊緣殘余的銅在而后的化學機械研磨過程中剝離而傷害金屬表面，影響后續(xù)制作工藝，故必須通過晶片斜邊清洗(EBR)制作工藝進行殘余銅去除的動作。

PVD三個主要工藝

一、硅晶圓材料

　　晶圓是制作硅半導體 IC 所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是硅，芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態(tài)晶體內(nèi)，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質(zhì)都有關(guān)系。

　　二、光學顯影

　　光學顯影是在光阻上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在 IC 制程的進步上，扮演著 最關(guān)鍵的角色。由于光學上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區(qū)為 黃光區(qū)。

　　三、蝕刻技術(shù)

　　蝕刻技術(shù)（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術(shù)?？梢苑譃椋簼裎g刻（wetetching）：濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經(jīng)過化學反應之后達到蝕刻的目的；干蝕刻（dryetching）：干蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產(chǎn)生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。現(xiàn)在主要應用等離子體刻蝕技術(shù)。

　　四、CVD 化學氣相沉積

　　化學氣相沉積（CVD）是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

　　五、物理氣相沉積（PVD）

　　這主要是一種物理制程而非化學制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。

　　六、離子植入（IonImplant）

　　離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達預定的植入深度。離子植入制程可對植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制?；旧希藫劫|(zhì)濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內(nèi)之總離子數(shù)）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數(shù)）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。

　　七、化學機械研磨

　　晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻（Lithography）技術(shù)對晶圓表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越來越高，IBM 公司于 1985 年發(fā)展 CMOS 產(chǎn)品引入，并在 1990 年成功應用于 64MB 的 DRAM 生產(chǎn)中。1995 年以后，CMP 技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應用于半導體產(chǎn)業(yè)?；瘜W機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。

　　八、光罩檢測

　　光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。光罩必須是完美無缺，才能呈現(xiàn)完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被復制到晶圓上。光罩檢測機臺則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。

　　九、清洗技術(shù)

　　清洗技術(shù)在芯片制造中非常重要。清洗的目的是去除金屬雜質(zhì)、有機物污染、微塵與自然氧化物；降低表面粗糙度；因此幾乎所有制程之前或后都需要清洗。份量約占所有制程步驟的 30％。

　　十、晶片切割

　　晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以 0．2 微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的 64M 微量。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機上進行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。

　　十一、焊線

　　IC 構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡稱 IC），此制程的目的是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。

　　十二、封膠

　　封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機械方式支持導線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置于框架上并預熱，再將框架置于壓模機上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填并待硬化。

　　十三、剪切／成形

　　剪切之目的為將導線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設(shè)計好之形狀，以便于裝置于電路版上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機配上多套不同制程之模具，加上進料及出料機構(gòu)所組成。

　　十四、測試和檢驗

　　這些測試和檢驗就是保證封裝好芯片的質(zhì)量，保證其良率。

pvd有哪些工藝類型

PVD基本方法:真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍(空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍)。

電鍍(Electroplating)就是利用電解原理在某些金屬表面上鍍上一薄層其它金屬或合金的過程，是利用電解作用使金屬或其它材料制件的表面附著一層金屬膜的工藝從而起到防止金屬氧化(如銹蝕)，提高耐磨性、導電性、反光性、抗腐蝕性(硫酸銅等)及增進美觀等作用。

PVD:物理氣相沉積:指利用物理過程實現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能(強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。 PVD基本方法:真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍(空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍)。

PVD技術(shù)出現(xiàn)于，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數(shù)、很好的耐磨性和化學穩(wěn)定性等優(yōu)點。最初在高速鋼刀具領(lǐng)域的成功應用引起了世界各國制造業(yè)的高度重視，人們在開發(fā)高性能、高可靠性涂層設(shè)備的同時，也在硬質(zhì)合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的涂層應用研究。與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響;薄膜內(nèi)部應力狀態(tài)為壓應力，更適于對硬質(zhì)合金精密復雜刀具的涂層;PVD工藝對環(huán)境無不利影響，符合現(xiàn)代綠色制造的發(fā)展方向。當前PVD涂層技術(shù)已普遍應用于硬質(zhì)合金立銑刀、鉆頭、階梯鉆、油孔鉆、鉸刀、絲錐、可轉(zhuǎn)位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的涂層處理。

PVD技術(shù)不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結(jié)合強度，涂層成分也由第一代的TiN發(fā)展為TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元復合涂層。

電鍍：電鍍時，鍍層金屬或其他不溶性材料做陽極，待鍍的工件做陰極，鍍層金屬的陽離子在待鍍工件表面被還原形成鍍層。為排除其它陽離子的干擾，且使鍍層均勻、牢固，需用含鍍層金屬陽離子的溶液做電鍍液，以保持鍍層金屬陽離子的濃度不變。電鍍的目的是在基材上鍍上金屬鍍層，改變基材表面性質(zhì)或尺寸。電鍍能增強金屬的抗腐蝕性(鍍層金屬多采用耐腐蝕的金屬)、增加硬度、防止磨耗、提高導電性、光滑性、耐熱性和表面美觀。

pvdf工藝

       PVDF中文名為聚偏氟乙烯主要用于電池正極粘結(jié)劑和隔膜涂層，由于成本因素負極多采用水性溶劑+SBR粘結(jié)劑，極少采用PVDF。

      PVDF的生產(chǎn)工藝主要有兩種：懸液法和乳液法，懸液法設(shè)備和技術(shù)均有較高壁壘，乳液法較為常見。聚合方式主要有共聚法和均聚法，共聚法技術(shù)壁壘更高。

pvd的特點

1、物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

2、化學氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

PVD工藝流程

pvd--物理氣相沉積，是當前國際上廣泛應用的先進的表面處理技術(shù)。其工作原理是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時把蒸發(fā)物或其反應物沉積在基底上。

它具有沉積速度快和表面清潔的特點，特別具有膜層附著力強、繞射性好、可鍍材料廣泛等優(yōu)點。

pvd工藝有什么好處

PVD即物理氣相沉積，是當前國際上廣泛應用的先進的表面處理技術(shù)。其工作原理就是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時把蒸發(fā)物或其反應物沉積在基材上。它具有沉積速度快和表面清潔的特點，特別具有膜層附著力強、繞性好、可鍍材料廣泛等優(yōu)點。 采用全球先進的磁控濺射離子鍍膜和多弧離子鍍膜工藝設(shè)備，及在此基礎(chǔ)之上與國際專家的工藝創(chuàng)新。憑借在裝飾鍍行業(yè)十多年的寶貴經(jīng)驗，為客戶提供最適合的涂層加工方案。

什么是PVD工藝

PVD（Physical Vapor Deposition）技術(shù)是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，在真空條件下采用物理方法，將某種材料氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基板材料表面沉積具有增透、反射、保護導電、導磁、絕緣、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、裝飾等特殊功能的薄膜材料的技術(shù)。

用于制備薄膜材料的物質(zhì)被稱為 PVD鍍膜材料。濺射鍍膜和真空蒸發(fā)鍍膜是最主流的兩種 PVD 鍍膜方式。